发布于：2024-11-17 作者：😃思研
一、ESD概念，原理分析
1.ESD的定义
ESD，即静电释放。在ⅠC中ESD指ESD保护器件和ESD测试
2.ESD器件定义
在电路中，直接连接到PAD的器件有被"静电放电"冲击的风险。所以工艺厂提供了可以抗ESD冲击的器件，称为ESD器件
3.ESD处理定义
电路中标注的ESD处理就是指，在版图中要对应的器件进行ESD保护处理，即采用特殊画法，称为ESD画法，使器件具有和ESD器件一样的抗ESD特性。使这个器件可以抗住ESD测试的电压，且正常工作时不影响电路性能
4.ESD产生原因
5.常见的ESD模型
①人体放电模型，HBM
②机器放电模型，MM
③元件充电模型，CDM
④电场感应模型，FIM
主要测①③，①最常见，也是对ⅠC损坏率最高
6.行业标准ESD测试模型
ESD在同一测试PⅠN上，分为打正电(p代表打正)和打负电(N代表打负)，打正电的时候输入是正电压，打负的时候输入为负电压
①PIN to Vss
PS:所有IO PIN(电源，地PIN以外的都是IO)，向Vss PIN打正电
NS:所有I0 PIN向Vss PIN打负
②PIN to VDD
PD:所有IO PIN向VDD PIN打正电
ND:所有IO PIN向VDD PⅠN打负电
③PIN to PIN
IO PIN打正，负到IO PIN，不包含电源，地PIN
④VDD to VSS
电源PIN打正，负到VSS，等同于地PIN打正，负到VDD
⑤VIN和VIP
差分对
7.ESD保护器件，电路简介
常用的ESD保护器件有电阻，二极管，双极性晶体管，Mos管，可控硅等，由于MOS管和cmos工艺兼容性好，因此经常采用MOS管构造保护电路。
Cmos工艺条件下的MOS管有一个横向寄生的n-p-n晶体管，这个寄生的晶体管开启时能迅速泻放ESD电流。利用这一现象可在较小面积内设计出较高ESD耐压值的保护电路。其中最典型的是栅级接地电位的NMos和GCNMos
图
8.ESD电路通路模型
任何PIN和PIN，和VDD，VSS之间都要有电流通路。这个通路基本连接所有的PIN，简称ESD环
一般PⅠN到VDD都是ESD MOS管—ESD Metal环—ESD Mos管，这样的通路实现的
二、版图的ESD失效分析
1.ESD版图失效类型
ESD失效的原因是因为大电流和大电压，电流可以烧毁MOS管，电压可以把栅氧打坏。对版图来说，大体分为2种:
①ESD保护器件失效
ESD器件是ESD发生时，限制电压提高，泻放电流的第一通路，所以也是受电压、电流冲击最大的地方。所以ESD器件本身的版图设计要满足ESD测试，实际应用的情况需求
②内部电路失效
在ESD发生时，如果ESD保护器件没有及时起作用，那么PAD处的电压就会传导到芯片内部，如果PAD连接器件gate，就可能打坏这个器件。如果连接到D、S端，可能DG击穿，也可能DS击穿，甚至可能引发IO到地的Latch up(这种情况不易发生，需要IO PAD的特殊应用环境)，导致器件烧毁
2.ESD保护器件NMos管(GGNMos，GCNMos)工作原理和失效分析
正常工作情况下，NMOS横向晶体管不会导通。当ESD发生时，漏极和衬底的耗尽区将发生雪崩击穿，并伴随电子空穴对的产生，一部分产生的空穴被源极吸收，其余的流过衬底。由于衬底电阻Rsub的存在，使衬底电压提高。当衬底和源之间的pn结正偏时，电子就从源发射进入衬底。寄生三级管NPN开启(snapback点，三极管开启后电流通路就变成了低阻通路，虽然电流变大，但是电压还是瞬间拉低)这些电子在源漏之间电场的作用下，被加速，产生电子、空穴的碰撞电离，从而形成更多的电子空穴对，使流过n-p-n晶体管的电流不断增加，最终使NMos晶体管发生二次击穿
若无限流措施，大电流通过截面很小的局部热斑，将产生大量热量，而单位时间能散发出的热量是有限的，由此，引起热斑温度急剧上升，直至达到半导体材料的熔点，使材料熔化，产生熔融孔，造成晶体管永久失效
三、版图的ESD管可靠性设计
1.mos管ESD器件剖面图，工作特性I、V曲线图:
①d面积大(散热好)
②SAB:a.防止LDD击穿；b.增加阻抗
③cont孔to poly space↗
④PESD注入↗
2. 5v mos管和5v普通mos管的区别:
3.Mos管ESD器件的特殊版图画法，为了实现:
①增加电阻，达到整流的作用，也就是说电流会更加均匀的通过沟道
②加宽D端到gate间距，间距变大，增加了DG、DS间的耐压，同时增加了散热面积，分散了电场线密度，相同电流下减弱了热载子效应，抬高了烧毁器件需要的电流大小，进而抬高了ESD电压
4.ESD环路Metal电阻对ESD性能的影响:
ESD通路是先通路D1在通过D2，完成由VDD打正电到IO PAD。对于0.5um工艺以下的管子，其最高耐压为源漏击穿电压或栅氧击穿电压，一般为7～10V，假设D1击穿后的snapback电压约有6Ⅴ，即I*R1+VBE+6<10，R1<(10-6-VBE)/Ⅰ，硅二极管一般导通压降为0.7V，如果按照0.66A/KV的HBM标准，若要过2kV对应电流约为1.33A，代入公式得R1<3.3/1.33=2.5，假设要过8kv，则对应电流约为5.28A，代入公式得R1<3.3/5.28=0.625
四、版图内部器件可靠性设计
1.对于ESD器件来说，我们所做的改动都是为了电流的均匀性。∴大家要注意连接ESD的metal的寄生电阻不同是否会造成ESD器件的不均匀开启。现在的工艺，己经基本不用layout自己画ESD器件了，或只是照着工厂的ESD器件进行改动。对版图来说，metal画法才是考验功力的地方。
2.内部连接到PAD的器件ESD可靠性处理方法:
PAD连接到内部就2种情况，连接到gate和连接到S、D端
⑴PAD连接到gate的器件
在gate前加一个ESD电阻。此电阻在ESD的时候分压。让内部器件gate电压小于PAD处电压。同时可防止大电流浪涌冲击到内部。
ESD电阻是指电阻头的孔的个数做处理加多到8个以上的电阻
⑵PAD连接内部SD器件
①采用和ESD器件一样的画法，优:ESD性能高，缺点是费面积，可能制约芯片性能
②在源漏端前面加ESD电阻，优点是省面积，缺点是限流、分压。对性能有一定影响，同时电阻值大小不好确定，在量产时有良率风险
③对接PAD的mos采用特殊处理，在ESD性能和面积上进行折中处理。在PAD处理有ESD情况下，内部器件大部分是不需做的和ESD器件拥有一样抗ESD性能的，只要提高到ESD器件先触发就可以了，∵ESD器件触发后就会快速拉低电压
3.曲栅(弯栅)增加了栅极的宽度，使栅极捏死紧密，可轻易容纳分布式背栅接触孔，栅极135度弯曲不易发生局部雪崩击穿，源和漏接触孔对角放置增加源、漏间距，电阻变大，整流作用，改善器件稳定性
4.去孔，交叉打孔
交叉打孔也相当于增加孔到gate的平均距离，增加有源区电阻
图
去孔，减少了孔的个数，增加通路电阻，可限流
直接拉开孔到gate的间距，一般来说，根据管子面积大小来确定拉开间距是多少，管子总面积越大，拉开间距越小。∵管子大了后，过电流能力增加
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