一、计划目的

二、适用范围

1. 静电敏感元器件（如HBM≤100V的晶圆、CDM≤50V的裸芯片）的接收、检验、存储、标识；
2. 生产制造过程中的光刻、蚀刻、离子注入（掺杂）、金属化、划片、键合、封装、测试（含探针测试、可靠性测试）；
3. 晶圆、裸芯片、成品芯片的包装、存储、运输及交付；
4. 光刻机、蚀刻机、离子注入机、键合机、探针台等核心生产设备及辅助工具、工装的采购、使用、维护；
5. 静电防护区（EPA）（晶圆处理区、芯片封装区、测试区、高敏感仓储区）的规划、建设、运维（同步适配洁净度管理）；
6. 工艺工程师、生产操作人员、检验人员、仓储人员、设备维护人员及临时进入EPA区域的外来人员（如设备供应商、客户审核人员）的培训、考核及资质认定。

三、术语与定义

1. 静电放电（ESD）：不同静电电位的物体之间的静电电荷转移，可能对半导体芯片造成显性损坏（如晶圆击穿、芯片功能失效）或隐性损坏（如漏电流增大、寿命缩短、可靠性下降）。
2. 静电敏感元器件（ESSD）：对静电放电极高敏感的半导体相关产品，结合车间生产特性，明确为人体模型（HBM）耐受电压≤100V、充电器件模型（CDM）耐受电压≤50V的元器件（如6/8/12英寸晶圆、未封装裸芯片、高精度传感器芯片等）。
3. 静电防护区（EPA）：采取全套静电防护措施且适配洁净度要求，能有效控制静电电位、限制静电放电的特定区域，车间分为晶圆处理区（一级）、芯片封装区（二级）、测试区（二级）、高敏感仓储区（一级）四个等级。
4. 接地：将静电导体或静电耗散体通过专用导体连接到大地或车间统一参考电位点，以消除静电积累，车间采用独立防静电接地系统，与动力接地、防雷接地、信号接地保持≥8m距离，避免交叉干扰。
5. 静电耗散材料：表面电阻率为1×10^6Ω～1×10^11Ω，能有效耗散静电电荷且适配洁净度要求的材料，如车间使用的防静电洁净服、洁净型防静电台垫、导电型洁净地板等。
6. 离子平衡电压：离子风机（或离子风棒）产生的正、负离子数量差值对应的电压，车间要求≤±30V（严于ANSI/ESD S20.20-2021标准基础要求，适配芯片高敏感度需求）。
7. 洁净型EPA：同时满足静电防护要求和洁净度等级要求（Class 100-Class 10000）的EPA区域，需同步控制静电、粉尘、温湿度等参数。

四、管理职责

（一）ESD管理委员会

1. 由公司高层领导、半导体工艺部、质量部、生产部、采购部、仓储部、设备部等部门负责人组成，作为ESD防护工作的决策机构。
2. 审批车间ESD防护管理计划及相关制度，监督计划的执行与落地，确保年度ESD防护专项预算（如高精度防护设备采购、专业培训、第三方检测）足额到位。
3. 协调解决ESD防护工作中的重大问题（如晶圆批量静电损坏事件、一级EPA区域改造、核心设备接地优化），确保资源投入满足高精密芯片生产的防护需求。
4. 每季度组织1次ESD防护体系的内部审核，每年组织1次管理评审，结合芯片良率数据、客户反馈优化体系，确保持续符合ANSI/ESD S20.20-2021标准及半导体行业规范。

（二）ESD专职工程师（半导体专项）

1. 负责编制、修订ESD防护管理计划、专项作业指导书（如《晶圆处理ESD操作规范》《一级EPA洁净-静电协同管理细则》）及相关技术文件，确保文件符合ANSI/ESD S20.20-2021标准及半导体芯片生产的高精密场景需求。
2. 主导洁净型静电防护区（EPA）的规划、设计、建设及验收，明确各分区静电防护参数（如接地阻抗、离子平衡电压）及洁净度等级要求，制定EPA运维标准（含静电与洁净度协同管理要求）。
3. 组织开展ESD专项培训、考核工作，针对不同岗位（如光刻操作员、晶圆检验员、探针测试员）制定定制化培训内容，重点强化高敏感产品防护操作技能，确保相关人员具备合格的静电防护知识与实操能力。
4. 负责ESD防护设备、材料的选型、验证及使用监督，重点验证光刻机、蚀刻机等核心设备的接地性能、离子风棒的静电消除效果、洁净型防静电包装材料的合规性，定期开展ESD检测与监测工作，结合芯片良率数据分析防护效果。
5. 处理ESD相关质量异常，组织调查静电损坏事件（如晶圆击穿、裸芯片测试失效），通过失效分析、流程追溯定位问题根源，制定纠正与预防措施并跟踪落实，降低不良率。
6. 负责ANSI/ESD S20.20-2021认证及半导体行业相关静电防护审核的资料准备、对接工作，配合第三方机构开展现场审核。

（三）各部门职责

1. 生产部：严格执行ESD防护作业指导书及洁净度管理要求，确保光刻、封装、测试等工序操作符合静电防护规范；负责生产区域内ESD防护设备（如双回路腕带、洁净型离子风机、接地插座）的日常维护与点检，每日上岗前组织员工进行腕带自检及装备洁净度检查，及时上报设备异常；配合ESD专职工程师开展异常整改及流程优化。
2. 质量部：将ESD防护要求纳入芯片检验标准，重点检验晶圆包装完整性、裸芯片存储环境合规性、成品防静电包装有效性，对生产过程中的ESD操作规范性及洁净度符合性进行双重监督；参与ESD体系审核及异常事件调查，负责ESD检测数据的复核、归档及良率关联分析。
3. 半导体工艺部：在芯片生产工艺文件中明确ESD防护特殊要求（如晶圆传输速度、金属化工序静电控制参数）；配合ESD专职工程师优化工艺环节的静电防护措施（如调整光刻胶涂布流程减少摩擦起电）；提供半导体芯片敏感度参数、工艺兼容性等技术支持。
4. 采购部：按照ESD防护及洁净度双重要求采购合格的设备、材料、包装用品，要求供应商提供符合ANSI/ESD S20.20-2021标准及半导体行业洁净要求的相关证明文件（如洁净型腕带检测报告、晶圆专用防静电包装材料合规证明）；对供应商进行ESD+洁净度合规性审核，将双重要求纳入供应商合作协议。
5. 仓储部：负责静电敏感元器件的分类存储（按敏感度等级及晶圆尺寸分区存放）、标识及出入库管理，确保高敏感仓储区的温湿度、接地、洁净度及静电防护符合要求；出入库过程中严禁损坏防静电包装及洁净防护包装，搬运时使用洁净型防静电周转车，防止元器件在仓储环节遭受静电损坏或污染。
6. 设备部：负责光刻机、蚀刻机、探针台等核心生产设备的接地改造、维护及静电消除装置（如设备自带离子风嘴）的校准，确保设备接地连续性及静电防护性能符合要求；配合ESD专职工程师开展设备ESD参数检测，及时整改设备接地、静电泄漏等问题；同步保障设备运行过程中的洁净度控制。
7. 洁净室管理部：配合ESD专职工程师开展洁净型EPA区域的运维，确保区域洁净度等级达标；负责温湿度调控设备（如高精度空调、加湿器）的日常维护，保障温湿度稳定在静电防护要求范围内；负责洁净型防静电装备（如洁净服、洁净鞋）的清洗、消毒及发放管理。
8. 行政部：配合ESD专职工程师开展专项培训工作，提供符合洁净要求的培训场地及设备支持；管理临时进入EPA区域的外来人员，协助开展岗前ESD+洁净度双重培训及资质审核。
9. 全体员工：严格遵守车间ESD防护及洁净度管理制度，参加ESD专项培训并通过考核；按要求穿戴洁净型防静电装备，规范开展操作（如接触晶圆前先进行静电释放）；主动报告静电防护异常情况（如腕带损坏、离子风机报警）及洁净度异常，严禁违规操作（如徒手接触晶圆表面、裸芯片引脚）。

五、静电防护技术要求

（一）洁净型静电防护区（EPA）规划与建设

1. EPA划分与标识（同步标注洁净度等级）：
   1. 晶圆处理区（光刻、蚀刻、离子注入）：划定为一级EPA（高敏感区），洁净度等级Class 100-Class 1000，
      设置红色区域线及“一级EPA（Class 100），非授权人员禁止入内，需穿戴全套洁净防静电装备”警示标识，
      明确区域边界及准入权限；
   2. 芯片封装区、测试区：划定为二级EPA（中敏感区），洁净度等级Class 1000-Class 10000，设置黄色区域线及
      “二级EPA（Class 1000），进入需穿戴洁净防静电装备”警示标识；
   3. 高敏感仓储区（晶圆、裸芯片存储）：划定为一级EPA（高敏感区），洁净度等级Class 1000，设置蓝色区域线及
      “高敏感静电防护仓储区（Class 1000），严禁烟火、禁止随意拆封、严禁携带非防静电物品入内”警示标识。
      
      
2. 接地系统（核心适配高精密芯片需求）：
   1. EPA区域建立独立的防静电接地系统，采用铜导体材质，接地阻抗≤1Ω（严格符合ANSI/ESD S20.20-2021标准
      硬性要求），接地排设置明显标识，定期进行防锈处理；
   2. 一级EPA区域内的光刻机、蚀刻机、离子注入机等核心设备，通过专用接地电缆（截面面积≥4mm²）连接至静
      电接地排，接地连接点采用螺栓固定并涂抹导电膏，设备部每周检查接地连续性，避免因设备振动导致接地松动；
   3. 防静电腕带 bonding点电阻限制为≤2Ω，一级EPA区域员工佩戴双回路腕带，腕带与接地插座连接可靠且配备实
      时监测装置，一旦接地异常立即发出报警；
   4. 鞋类/地面系统对接地点的最大电阻为10^9Ω，一级EPA区域采用导电型洁净地板，二级EPA区域采用静电耗散型洁净地板，确保员工穿戴洁净防静电鞋后能有效接地，同时满足洁净度要求。
3. 环境控制（静电与洁净度协同控制）：
   1. 一级EPA（晶圆处理区、高敏感仓储区）环境湿度控制在50%～60%RH，温度控制在22～24℃；二级EPA（封装区、
      测试区）湿度控制在40%～65%RH，温度控制在20～26℃，避免低湿度导致静电积累或温湿度波动影响芯片性能；
   2. 各EPA区域配备高精度温湿度记录仪（精度±0.5%RH、±0.1℃）及洁净度监测仪，每15分钟自动记录1次温湿度及
      洁净度数据，当湿度低于下限值时，启动高精度自动加湿器（适配洁净要求，无粉尘产生），同时人工核查；
   3. 一级EPA区域采用洁净型离子风机（或离子风棒），出风口配备高效过滤网，确保离子风机运行过程中不产生粉尘污
      染；离子风机的平衡电压≤±30V，静电衰减时间≤0.8秒（对1000V～100V的衰减），出风口距离操作台面40～60
      cm，避免直接对着晶圆或裸芯片吹。
4. 设备与材料要求（适配半导体洁净+高敏感需求）：
   1. EPA区域内使用的工作台、椅子、周转箱、托盘等必须采用洁净型静电耗散材料，表面电阻率为1×10^6Ω～1×10^11Ω，
      无粉尘脱落，一级EPA区域工作台配备洁净型防静电台垫，台垫通过接地扣可靠接地且定期清洁；
   2. 个人防护用品要求：一级EPA员工穿戴连体洁净防静电服、洁净防静电鞋、洁净防静电手套、防静电发套、口罩，佩戴双
      回路防静电腕带；二级EPA员工穿戴分体洁净防静电服、洁净防静电鞋、防静电手套、佩戴单回路防静电腕带；腕带电阻
      值控制在1×10^6Ω～1×10^8Ω，每日上岗前自检+专人核查；
   3. 晶圆传输过程中使用专用防静电晶圆盒（FOUP），晶圆盒内表面采用导电型防静电材料，避免晶圆与盒体摩擦产生静电；
      封装工序使用的载具必须经过静电测试，确保符合防护要求；
   4. 焊接（键合）工序使用的电烙铁必须具备防静电+洁净功能，烙铁头与接地端的电阻≤2Ω，配备接地连续性监测器及烟尘
      净化器（适配洁净要求），避免焊接时静电损坏芯片或烟尘污染芯片。

（二）静电敏感元器件（ESSD）管理（适配半导体芯片特性）

1. 标识与分类：
   1. 所有ESSD元器件及组件必须粘贴符合ANSI/ESD S20.20-2021标准的防静电标识，标注元器件的静电敏感度等级（如“HBM：
      50V，CDM：25V”）及晶圆尺寸、型号等信息；
   2. 按敏感度等级+尺寸分类存储：超高敏感类（HBM≤50V，如12英寸晶圆、高端处理器裸芯片）、高敏感类（50V＜HBM≤100V，
      如8英寸晶圆、普通逻辑芯片裸芯片）、中敏感类（100V＜HBM≤250V，如封装完成的通用芯片），高敏感仓储区设置专属密封
      货架，张贴分类标识及防护要求，避免混放。
2. 接收与检验：
   1. 接收ESSD时，仓储人员首先检查供应商的防静电包装（如晶圆专用屏蔽盒、裸芯片防静电托盘）及洁净包装是否完好，有无破
      损、开口、污染，包装上是否有防静电标识、洁净度标识及合格证明；
   2. 检验过程必须在一级EPA区域内进行，检验人员穿戴全套洁净防静电装备，拆封时使用专用防静电+洁净剪刀，严禁在非EPA区域
      或洁净度不达标区域拆封ESD包装；
   3. 质量部检验时，需通过专业设备（如静电检测仪、显微镜）检查晶圆表面有无静电损伤、划痕、污染，裸芯片引脚有无氧化、损
      伤，必要时进行电学性能测试，确认无隐性静电损坏。
3. 存储与搬运：
   1. ESSD存储在高敏感仓储区的防静电+洁净货架上，货架与地面绝缘（垫洁净型防静电垫），避免与静电导体直接接触，存储环境严
      格符合温湿度、洁净度及接地要求；
   2. 超高敏感类元器件（如12英寸晶圆）存储时，放置在专用防静电密封盒内，盒内铺设导电泡沫（适配洁净要求），防止静电感应损
      坏及污染；
   3. 搬运ESSD时，必须佩戴全套洁净防静电装备，使用洁净型防静电周转车或专用晶圆传输设备（FOUP），严禁徒手接触晶圆表面、
      裸芯片引脚或敏感部位；搬运过程中避免剧烈晃动、碰撞，防止包装破损或芯片损伤。
4. 包装与交付：
   1. 成品芯片包装必须采用四层防静电+洁净包装（内层防静电袋、中层缓冲导电材料、外层屏蔽袋、最外层洁净防护箱），包装前确保
      产品通过离子风机放电，包装过程在二级EPA区域内完成，全程避免污染；
   2. 包装上粘贴“超高静电敏感，小心轻放”“洁净产品，避免污染”双重警示标识及产品敏感度等级，附带《ESD+洁净防护说明》，告
      知运输及接收方双重防护要求；
   3. 交付时选择具备ESD防护+洁净运输能力的物流公司，在运输合同中明确静电防护及洁净度要求，运输车辆配备温湿度、静电监测装
      置，避免产品在运输过程中因振动、摩擦产生静电损坏或污染。

（三）生产过程静电防护（适配半导体全工序）

1. 人员防护：
   1. 进入EPA区域的人员必须按等级穿戴合格的洁净防静电装备，一级EPA员工需在缓冲间进行全身静电释放（触摸专用接地金属件）及
      装备洁净度检查后再进入；
   2. 操作ESSD时，严禁佩戴首饰、手表、钥匙等金属物品，禁止携带非防静电、非洁净物品（如手机、纸巾）进入EPA区域，避免金属
      物品产生尖端放电或杂物污染芯片；
   3. 一级EPA区域员工每1小时检查1次腕带佩戴情况、接地状态及装备洁净度，质量部及洁净室管理部不定期抽查。
2. 各工序操作规范：
   1. 光刻工序：晶圆传输采用专用FOUP设备，光刻胶涂布前确保晶圆表面无静电积累（通过离子风棒预处理）；光刻机内部定期清洁静
      电消除装置，减少光刻过程中的静电干扰；
   2. 蚀刻、离子注入工序：设备接地系统每日检查，确保接地良好；晶圆进出设备时缓慢传输，减少摩擦起电；离子注入过程中实时监
      测设备静电电位，避免静电导致晶圆击穿；
   3. 键合、封装工序：使用防静电+洁净型键合机，键合前检查设备接地及静电消除状态；裸芯片取放采用防静电吸笔，避免直接接触；
      焊接温度按芯片要求精准控制，防止高温损坏芯片的防静电涂层；
   4. 测试工序：探针台、测试仪器必须可靠接地，测试探针采用防静电+耐磨材质，测试前将仪器与被测芯片进行等电位连接（触摸芯
      片接地端）；测试过程中避免探针与芯片非测试区域接触，防止静电损坏；
   5. 传递工序：传递晶圆、裸芯片时，使用专用防静电+洁净周转容器，严禁直接用手传递；周转容器内放置导电分隔片，避免产品之
      间碰撞摩擦产生静电及污染。
3. 设备维护：
   1. 设备部每日对光刻机、蚀刻机等核心设备进行接地连续性检查，每周对设备内部静电消除装置（如离子风嘴）进行清洁、校准，每
      月开展一次设备ESD性能全面检测；
   2. ESD专职工程师每月对离子风机、防静电腕带测试仪等防护设备进行性能检测，重点核查离子平衡电压、静电衰减时间等参数，及
      时更换损坏的设备（如离子风机滤网、腕带导电绳）；
   3. 建立设备ESD+洁净维护档案，记录维护时间、内容、检测结果，档案保存期限不少于5年（适配半导体行业追溯要求）。

六、培训与考核

1. 培训对象与频次：
   1. 新入职员工（工艺、生产、检验、仓储、设备岗位）：入职后7个工作日内完成ESD+洁净度专项培训，考核合格后方可上岗；
   2. 在岗员工：每月开展1次ESD知识复训，每季度开展1次实操技能考核，每半年开展1次ESD+洁净度协同管理培训；
   3. 管理人员（生产主管、工艺主管、质量主管）：每季度开展1次ESD管理知识培训，提升高敏感产品防护管理能力；
   4. 外来人员（设备供应商、客户审核人员、维修人员）：进入EPA区域前，由洁净室管理部配合ESD专职工程师开展30分钟专项培训
      （含ESD防护、洁净度要求、准入规则），考核合格后方可进入。
2. 专项培训内容（适配半导体岗位需求）：
   1. 新入职员工：ESD基础知识（半导体芯片静电损坏机理、危害）、ANSI/ESD S20.20-2021标准核心要求、车间EPA区域划分及分级防
      护要求、洁净度管理规范、各岗位ESD+洁净操作规范（如晶圆处理、芯片测试）、个人防护用品穿戴与检查方法、异常报告流程；
   2. 在岗员工：新增ESD防护要求、近期异常案例分析（如某批次晶圆因静电击穿的原因及整改措施）、新设备（如新型离子风机、专用
      晶圆传输设备）操作方法、ESD+洁净度协同控制技巧；
   3. 外来人员：EPA区域准入流程、静电防护基本注意事项、洁净度要求（如禁止触摸设备内部、穿戴临时洁净防静电装备）、紧急情况处
      理方式。
3. 考核方式：
   1. 笔试：考核ESD基础知识、标准要求、管理制度、洁净度规范，满分100分，90分及以上为合格（严于普通电子厂，适配半导体高要求）；
   2. 实操考核：考核洁净防静电装备穿戴、腕带自检、设备接地检查、晶圆/裸芯片取放等操作，由ESD专职工程师+工艺工程师联合现场打分，
      合格后方可上岗；
   3. 外来人员：培训后签署《ESD+洁净防护承诺书》，明确双重防护责任，由专人全程陪同进入EPA区域。
4. 培训记录：建立员工ESD+洁净培训档案，记录培训时间、内容、考核结果、监考人员等信息，档案保存期限不少于5年；外来人员《ESD+洁净防护承诺书》由洁净室管理部归档保存，保存期限不少于2年。

七、检测与监测

（一）定期检测项目、标准与频率（适配半导体高要求）

（二）监测与记录

1. 建立ESD+洁净度双重检测台账，详细记录检测时间、检测项目、检测结果、检测人员、异常情况及处理措施等信息，台账采用电子档+纸质档双重存档，保存期限不少于5年（适配半导体行业追溯要求）。
2. 各EPA区域温湿度、洁净度记录仪数据自动存储，每周导出1次数据归档，数据保存期限不少于3年。
3. 对检测中发现的异常情况（如接地阻抗超标、腕带电阻不合格、离子风机平衡电压超标、洁净度不达标），立即停止相关区域的生产活动，张贴“禁止使用”标识，由ESD专职工程师联合相关部门制定整改措施（如更换设备、重新接地、调整温湿度、强化洁净清洁），经检测合格后方可恢复生产。
4. 质量部每月对ESD检测数据、洁净度数据及芯片良率数据进行关联分析，形成《ESD+洁净度检测月度报告》，上报ESD管理委员会，为体系改进提供数据支撑。

八、异常处理与持续改进

1. 异常报告：当发生以下情况时，相关人员需立即向ESD专职工程师报告，填写《ESD+洁净度异常事件报告表》：
   1. 静电损坏事件（如晶圆击穿、裸芯片测试失效、成品芯片可靠性不达标，经检测确认由ESD导致）；
   2. 防护设备异常（如腕带测试仪故障、离子风机报警、核心设备接地异常）；
   3. 违规操作（如员工未穿戴洁净防静电装备进入EPA、徒手接触晶圆、非洁净区域拆封ESD包装）；
   4. 客户反馈产品存在ESD相关质量问题或洁净度问题。
2. 调查与分析：ESD专职工程师在接到报告后12小时内组织生产部、质量部、半导体工艺部、设备部、洁净室管理部开展异常调查，通过现场勘查、数据追溯、失效分析、人员问询等方式，分析异常原因（如操作不当、设备故障、环境失控、制度漏洞等），确定责任部门及人员，明确问题影响范围（如涉及产品批次、生产工序）。
3. 纠正与预防措施：
   1. 纠正措施：针对异常原因制定具体整改措施，明确整改责任人、整改期限（一般不超过2个工作日），跟踪整改效果，
      确保问题彻底解决（如更换不合格腕带、重新改造接地系统、处罚违规员工、强化洁净清洁）；
   2. 预防措施：结合异常原因，修订相关制度或操作规范（如增加设备点检频次、优化培训内容、强化岗位监督），开展
      全员警示教育，避免同类异常再次发生。
4. 持续改进：
   1. 每季度通过内部审核、管理评审，结合芯片良率数据、客户反馈，识别ESD防护体系的改进机会（如设备老化、流程
      繁琐、培训不到位、洁净与静电协同控制不足）；
   2. 收集半导体行业新技术（如新型洁净防静电材料、智能静电监测设备），适时修订ESD防护计划及相关制度，提升防护
      水平；
   3. 每年组织1次ESD防护体系有效性评估，对比年度ESD损坏率、检测合格率、芯片良率等数据，持续优化防护方案，确
      保体系符合ANSI/ESD S20.20-2021标准、半导体行业规范及公司发展需求。

九、文件管理

1. 本计划及相关ESD作业指导书、检测标准、培训资料、认证资料、洁净度管理文件等，由ESD专职工程师联合洁净室管理部
   统一管理，建立《ESD+洁净度文件清单》，明确文件版本、生效日期、发放范围，确保文件的有效性、完整性。
2. 文件的编制、修订、审批、发放、回收需按照公司文件管理制度及半导体行业追溯要求执行，修订后需重新审批生效，及时回收过期或作废文件，严禁在工作中使用过期文件。
3. 各部门需妥善保管收到的ESD+洁净度文件，放置在洁净、干燥、便于查阅的位置，严禁随意涂改、复印、外传，确保文件不丢失、不损坏、不污染。
4. ESD检测台账、培训档案、异常事件报告、内部审核报告、洁净度监测数据等记录文件，由对应责任部门归档保存，保存期限不少于5年，以备ANSI/ESD S20.20-2021认证审核、半导体行业审核及客户审核。

十、附则

1. 本计划由[静电防护管理部门/半导体工艺部]联合洁净室管理部负责解释。
2. 本计划自发布之日起生效，原有相关静电防护、洁净度管理规定与本计划不一致的，以本计划为准。
3. 本计划将根据ANSI/ESD S20.20标准更新情况、半导体行业技术发展、公司生产经营需求（如新增12英寸晶圆生产线）及客户要求，适时进行修订。
4. 对违反本计划规定的行为，将按照公司《半导体质量管理奖惩制度》加重处罚；因违规操作导致晶圆批量损坏、芯片良率下降、客户投诉或认证失败的，严肃追究相关部门及人员责任，情节严重的移交公司法务部门处理。