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半导体高洁净 EPA 工程
针对晶圆制程的高洁净与高灵敏要求，构建可持续验证的 ESD 防护体系。
半导体高洁净 EPA 工程
案例背景
该半导体晶圆厂的高洁净 EPA 区域对静电控制要求严苛，器件对 HBM/CDM 放电极为敏感，微小放电即可造成器件损伤与良率损失。
思研科技按半导体行业规范，实施高洁净接地、防静电地板与全域智能监控，并选用低释放材料，保障高洁净环境下的静电防护可靠性。
痛点分析
高洁净适配难
常规防静电措施易释气、发尘，与高洁净要求冲突。
放电极为敏感
器件对 HBM/CDM 放电敏感，微小电荷即可致损。
监控不可查
关键点位缺乏在线监控，异常难以预警与追溯。
实施方案
01
高洁净接地
高洁净区接地系统电阻控制在 ≤1Ω，实现低阻抗泄放。
02
防静电地板
铺设防静电地板，系统电阻控制在 1×10⁶~1×10⁹Ω。
03
全域智能监控
部署在线静电监控平台，静电电压 <100V，湿度维持 40%~60%RH。
04
高洁净环境适配
材料低释气、低发尘，契合高洁净 EPA 区域要求。
改善成效
0.5Ω
接地系统电阻
标准限值内
±35V
静电电压
关键工位受控
2.6%
良率提升
制程改善
24台
监控点位
全域在线可查
改造后高洁净环境参数稳定受控，良率提升 2.6%，静电防护证据链完整可追溯。
对标标准
ANSI/ESD S20.20
SJ/T 10694-2022
IEC 61340-5-1
AEC-Q / HBM / CDM
适用场景
晶圆制造区
光刻工位
封装车间
高洁净 EPA
设备搬入口
静电隐患不排查，产线停机成本会持续累积
从元器件损伤、设备误动作到良率波动，静电放电往往是隐藏诱因
现场诊断：排查接地、环境、设备与人员操作风险
方案定制：建立分级防护、监测与管理流程
工程落地：提供培训、文件记录与持续改进建议